美光宣布将于 2024 年上半年推出用于未来 GPU 的下一代 GDDR7 内存。
基于 1ß 工艺节点的 GDDR7 内存明年将用于下一代 GPU
在 2023 年第三季度财报电话会议上,美光宣布了其各种 DRAM 和内存产品的当前进展,包括即将推出的用于图形的 GDDR7 内存。该公司透露,他们正在开发下一代 GDDR7 内存,将于 2024 年上半年或明年上市。
在图形领域,行业分析师继续预计,在客户端和数据中心应用程序的支持下,图形技术的 TAM 复合年增长率 (CAGR) 将超过整个市场。我们预计客户库存将在第三季度恢复正常。我们计划于 2024 年上半年在行业领先的 1ß 节点上推出下一代 G7 产品。
据美光称,GDDR7 内存将基于 1ß 工艺节点,预计 2025 年将被 1γ 工艺节点取代,生产计划于 2025 年进行。EUV 节点将首先在美光工厂生产,该工厂已经安装了 EUV 功能,然后转移到日本广岛工厂。
根据之前的信息我们得知,GDDR7显存已经进入验证阶段,首批解决方案由Cadeance提供给客户。
三星 GDDR7 内存通过 PAM3 信号传输速率高达 36 Gbps 2
GDDR7 内存解决方案将在尚未发挥其峰值潜力的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案中取得成功。新标准将支持 PAM3 信令以及高达 36 Gbps 的更快引脚速度。目前,最快的内存解决方案是 NVIDIA GeForce RTX 40 系列显卡采用的 GDDR6X 内存解决方案,可提供高达 22 Gbps 的引脚速度,而 AMD 的 Radeon RX 7000 系列显卡则采用标准 20 Gbps GDDR6 解决方案。仅供比较,36 Gbps 引脚速度解决方案将提供以下带宽数据:
128 位 @ 36 Gbps: 576 GB/秒
192 位 @ 36 Gbps: 846 GB/秒
256 位 @ 36 Gbps: 1152 GB/秒
320 位 @ 36 Gbps: 1440 GB/秒