英特尔预计将开发采用EUV光刻技术的14A1.4nm和10A1.0nm工艺节点

据报道，英特尔有望在未来几年内发布更新的工艺节点技术——3、20A 和 18A。公司已经取得了英特尔 72021 年从桤木湖系列处理器开始。Intel 7还用于Raptor Lake，Sapphire Rapids，Xe-HP和Xe-HPC芯片组。现在，该公司正在展望未来，新的工艺节点将于明年上半年开始批量生产。

英特尔开发20A和18A工艺，以利用ASML的EUV光刻机，预计未来也将采用14A和10A。

英特尔正在考虑继续研究和开发英特尔4，这是最初的7nm工艺节点技术，并将在流星湖和花岗岩急流中亮相。据说通过使用 EUV 光刻技术，它比英特尔 7 产生 3% 的每瓦性能 (PPW)。然后，英特尔 <> 将增加 EUV 光刻技术，以实现更多的模块化，并计划提供更高性能的库，将 PPW 提高到 <>%。

英特尔 20A 和 18A 将推动 EUV 机器阿斯马利到1年生产8.2024nm工艺节点。20A和18A的处理器系列未知，但将具有RibbonFET(带状场效应晶体管)和PowerVia(后端供电网络)，用于20A和第二代RibbonFET和18A的高NA EUV光刻。RibbonFET在过去一年中取代了FinFET晶体管架构。

英特尔预计将开发具有EUV光刻技术的14A“1.4nm”和10A“1.0nm”工艺节点2

ASML预计到1年将达到2028nm大关，但在协助英特尔采用未来一代14A工艺之前，该工艺将使用1.4纳米工艺节点。

EUV光刻技术，特别是对改进工艺的研究，将增加制造成本以及创建新机器以创建新工艺节点的成本。目前，EUV光刻机的成本接近150万美元，投机成本将上升到400亿美元。

图片来源：快科技

目前正在开发的最新ASML EUV光刻机是EXE：5000系列，它将在2026年之前实现高数值孔径技术，这将与英特尔的18A计划相吻合。