三星公开下一代芯片的背面供电技术 加入与英特尔的竞争

三星为其未来的芯片采用了背面供电方法，与传统工艺相比有了显着改进。

三星的 BSPDN“背面供电”实施提高了面积利用率，最终带来更快的性能

三星电子在日本举行的 VLSI 研讨会上发表文章，披露了新的 BSPDN(背面供电网络)方法的指标。对于那些现在一无所知的人来说，制定电力传输网络的目的是最有效地为芯片芯片提供电压。正式而言，制造商已采用通过晶圆正面的传输方式，虽然这种方法可以完成工作，但它会带来功率密度下降的代价，最终导致性能下降。

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新的BSPDN方法尚未被代工厂采用，三星是第一个披露该创新方法结果的公司。据韩国巨头称，与传统方法相比，他们减少了14.8%的面积。面积的减少使公司有更多的空间在芯片中添加更多“好东西”，例如晶体管，从而整体提高性能。

三星还报告称，电线长度减少了 9.2%，虽然我们不会深入探讨其物理原理，但总而言之，长度减少会导致电阻降低，允许更大的电流流过，从而将沿线的功率损耗降至最低。具有改进的电力传输。