iPhone或将改用QLC闪存 牺牲速度和耐久性换取高容量存储

【太平洋科技快讯】近日，有消息透露称苹果公司正酝酿在2026年推出的iPhone产品中使用QLC NAND(四层单元闪存)技术，此举将使iPhone的存储上限提升至2TB，但是QLC NAND的读写速度低于TLC NAND，且耐用性较差，写入周期较TLC少。但在存储容量方面，QLC NAND具有明显优势，如果苹果继续执行这一计划，一些高容量版本的iPhone 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。

QLC NAND相较于当前iPhone使用的TLC NAND(三层单元闪存)，每个存储单元可存储4bit数据，存储密度提高33%。这一升级将为用户提供更大的存储空间。

QLC NAND主要用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用。虽然其耐久度相对较低，但足以满足日常使用需求，使得固态硬盘在更广泛的用户群体中普及。

据了解，苹果公司还在研究如何利用NAND存储大型语言模型(LLMs)，以便在本地运行更多AI任务。采用QLC NAND可能有助于提升Apple Intelligence的性能表现。