复旦团队研发超快闪存集成工艺：20纳秒超快编程、10年非易失

【复旦团队研发超快闪存集成工艺：20纳秒超快编程、10年非易失】复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而，如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。记者从复旦大学方面获悉，团队开发了超界面工程技术，在规模化二维闪存中实现了具备原子级平整度的异质界面，结合高精度的表征技术，显示集成工艺显著优于国际水平。通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试，证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中，纳秒级非易失编程速度下良率高达98%，这一良率已高于国际半导体技术路线图（International Technology Roadmap for Semiconductors）对闪存制造89.5%的良率要求。