SK 海力士准备 HBM3E 内存：比 HBM3 速度提升 25%

SK 海力士宣布其 HBM3 内存的增强版，将数据传输速率提高 25%，从而为使用这种优质 DRAM 的应用程序提供相当大的性能提升。为人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 开发解决方案的公司将欢迎 HBM3E 于 2024 年上市。

SK 海力士的 HBM3E 内存将数据传输速率从目前的 6.40 GT/s 提高到 8.0 GT/s，这将使每堆栈带宽从 819.2 GB/s 提高到 1 TB/s。HBM3E 与现有 HBM3 控制器和接口的兼容性仍不清楚，因为 SK 海力士尚未透露这方面技术的细节。

SK 海力士计划在 2023 年下半年开始出样其 HBM3E 内存，并于 2024 年开始量产。

该公司将使用其 1b 纳米制造技术(该公司用于 DRAM 的第 5 代 10 纳米级节点)来生产其 HBM3E 内存。该生产节点目前用于制造已针对英特尔下一代至强可扩展平台进行验证的 DDR5-6400 DRAM。最终它还将用于生产 LPDDR5T 存储芯片，用于对性能要求低的低功耗应用。

“随着内存市场将从下半年开始复苏的预期越来越高，我们相信我们行业领先的 DRAM 技术，这次通过 1bnm 工艺的量产再次证明，将帮助我们提高下半年的盈利，”他说。 SK 海力士 DRAM 开发负责人 Jonghwan Kim。