英特尔：3nm 节点达到良率和性能目标

英特尔本周宣布，其 3 纳米级工艺技术已达到其缺陷密度和性能目标。据英特尔称，英特尔 3 代制造技术 有望用于明年英特尔即将推出的代号为 Granite Rapids 和 Sierra Forest 处理器的大批量生产。

英特尔首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 在与分析师和投资者举行的财报电话会议上表示：“英特尔 3 在第二季度达到了缺陷密度和性能里程碑，发布了 PDK 1.1，并且有望实现总体良率和性能目标。” “我们将在 2024 年上半年推出 Sierra Forest，随后不久将推出 Granite Rapids，这是我们针对 Intel 3 的主要车辆。”

Intel 3(以前称为5nm)是该公司的第二代工艺技术，采用极紫外光刻技术，通常是改进的Intel 4生产节点(以前称为7nm)。与 Intel 4 相比，Intel 3 承诺每瓦性能效率提高 18%、更密集的高性能库、降低通孔电阻并增加固有驱动电流。

英特尔的 3nm 级节点特别适合倾向于使用大型单片芯片并消耗大量功率的数据中心级产品(因此降低通孔电阻是一个巨大的好处)。到目前为止，英特尔仅宣布了两款将在其 3nm 级节点上生产的处理器——服务器级 Granite Rapids 和 Sierra Forest。此外，该公司的英特尔代工服务部门还将 为 采用英特尔 3 处理技术的 超大规模企业生产定制数据中心产品。

Intel 3 满足缺陷密度和性能目标对于英特尔数据中心部门来说是个好消息，因为这将使其能够在 2024 年提供具有竞争力的产品。